Name: IXTT110N10L2-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTT110N10L2-TRLTR-ND
Price: 644.083 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IXTT110N10L2-TRL
Číslo produktu DigiKey	238-IXTT110N10L2-TRLTR-ND - Páska a cívka (TR) 238-IXTT110N10L2-TRLCT-ND - Řezaná páska (CT) 238-IXTT110N10L2-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	IXYS
Číslo produktu výrobce	IXTT110N10L2-TRL
Popis	MOSFET N-CH 100V 110A TO268
Standardní dodací lhůta výrobce	37 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 110A (Tc) 600W (Tc) Montáž na povrch TO-268 (IXTT)
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 250µA
Mfr IXYS	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 260 nC @ 10 V
Řada Linear L2™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 10500 pF @ 25 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 600W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-268 (IXTT)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 110A (Tc)	Pouzdro TO-268-3, D3PAK (2 přívody + výstupek), TO-268AA
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IXTT110
Rds zap (max) při Id, Vgs 18mOhm při 55A, 10V