Name: IQE046N08LM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE046N08LM5ATMA1TR-ND
Price: 90.1934 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQE046N08LM5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQE046N08LM5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQE046N08LM5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQE046N08LM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQE046N08LM5ATMA1
Popis	TRENCH 40<-<100V
Standardní dodací lhůta výrobce	26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 15,6A (Ta), 99A (Tc) 2,5W (Ta), 100W (Tc) Montáž na povrch PG-TSON-8-5
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQE046N08LM5ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,3V při 47µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 38 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3250 pF @ 40 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 100W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 80 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-TSON-8-5
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 15,6A (Ta), 99A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Základní číslo produktu IQE046
Rds zap (max) při Id, Vgs 4,6mOhm při 20A, 10V