Name: IPT60R080G7XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT60R080G7XTMA1TR-ND
Price: 166.5807 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPT60R080G7XTMA1
Číslo produktu DigiKey	IPT60R080G7XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPT60R080G7XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPT60R080G7XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPT60R080G7XTMA1
Popis	MOSFET N-CH 600V 29A 8HSOF
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 29A (Tc) 167W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPT60R080G7XTMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™ G7
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	29A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	80mOhm při 9,7A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4V při 490µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1640 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	167W (Tc)
Provozní teplota	-40°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8-2
Pouzdro	8-PowerSFN
Základní číslo produktu	IPT60R080

Jednotková cena bez DPH:	137,67000 Kč
Jednotková cena s DPH:	166,58070 Kč

IPT60R080G7XTMA1