Parametrický ekvivalent
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar

IPW65R110CFDFKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IPW65R110CFDFKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IPW65R110CFDFKSA1 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 31.2A TO247-3 |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 31,2A (Tc) 277,8W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-1 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 4,5V při 1,3mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 118 nC @ 10 V |
Řada | Vgs (max) ±20V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3240 pF @ 100 V |
Stav součásti Zastaralé | Rozptylový výkon (Max) 277,8W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO247-3-1 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 110mOhm při 12,7A, 10V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| IPW65R110CFDFKSA2 | Infineon Technologies | 190 | 448-IPW65R110CFDFKSA2-ND | 171,97000 Kč | Parametrický ekvivalent |
| FCH110N65F-F155 | onsemi | 360 | FCH110N65F-F155-ND | 192,97000 Kč | Similar |
| FCH150N65F-F155 | onsemi | 262 | FCH150N65F-F155-ND | 172,81000 Kč | Similar |
| SIHG33N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG33N65EF-GE3-ND | 181,63000 Kč | Similar |
| STW30N65M5 | STMicroelectronics | 600 | 497-10655-5-ND | 142,16000 Kč | Similar |







