Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
SIHG33N65EF-GE3 není skladem a lze jej zařadit do zpětné objednávky.
Dostupné náhrady:
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Similar
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
SIHG33N65EF-GE3 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | SIHG33N65EF-GE3-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | SIHG33N65EF-GE3 |
Popis | MOSFET N-CH 650V 31.6A TO247AC |
Standardní dodací lhůta výrobce | 20 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 31,6A (Tc) 313W (Tc) Průchozí otvor TO-247AC |
Katalogový list | Katalogový list |
Vlastnosti produktu
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 10V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 109mOhm při 16,5A, 10V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4V při 250µA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 171 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±30V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 4026 pF @ 100 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 313W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-247AC | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 168,31000 Kč | 168,31 Kč |
| 25 | 107,27440 Kč | 2 681,86 Kč |
| 100 | 97,57610 Kč | 9 757,61 Kč |
| 500 | 72,41008 Kč | 36 205,04 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 168,31000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 203,65510 Kč |
Česká republika