Name: IPTG014N10NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTG014N10NM5ATMA1TR-ND
Price: 142.2839 CZK
Availability: InStock

IPTG014N10NM5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPTG014N10NM5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPTG014N10NM5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPTG014N10NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPTG014N10NM5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 100V 37A/366A HSOG-8
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 37A (Ta), 366A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOG-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPTG014N10NM5ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	37A (Ta), 366A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,4mOhm při 150A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 280µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	211 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	16000 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,8W (Ta), 375W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOG-8-1
Pouzdro	8-PowerSMD, Přívod tvaru L
Základní číslo produktu	IPTG014N

Jednotková cena bez DPH:	117,59000 Kč
Jednotková cena s DPH:	142,28390 Kč

IPTG014N10NM5ATMA1