N-kanál 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-1
H-PSOF-8-1
IPT059N15N3ATMA1

IPT012N08N5ATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPT012N08N5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
IPT012N08N5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
IPT012N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IPT012N08N5ATMA1
Popis
MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Standardní dodací lhůta výrobce
61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-1
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPT012N08N5ATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
300A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
1,2mOhm při 150A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,8V při 280µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
223 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
17000 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
375W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-HSOF-8-1
Pouzdro
8-PowerSFN
Základní číslo produktu
IPT012
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 6 020
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
1128,73000 Kč128,73 Kč
1086,00600 Kč860,06 Kč
10061,77930 Kč6 177,93 Kč
50054,85360 Kč27 426,80 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
2 00044,81513 Kč89 630,26 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:128,73000 Kč
Jednotková cena s DPH:155,76330 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
6 Položky
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,60000 Kč
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

24,23000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

17,04000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

20,33000 Kč
1EDI60N12AFXUMA1

1EDI60N12AFXUMA1

DIGITAL ISO 1CH GATE DVR DSO8-51

Infineon Technologies

42,09000 Kč
2EDS8265HXUMA1

2EDS8265HXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 16SOIC

Infineon Technologies

78,84000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
BQ76952PFBR

BQ76952PFBR

IC BAT LIFEPO4/LI-ION 3-16C TQFP

Texas Instruments

95,68000 Kč
LMR38010SDDAR

LMR38010SDDAR

IC REG BUCK ADJ 1A 8SOPWR

Texas Instruments

59,34000 Kč
ZXMP10A17GTA

ZXMP10A17GTA

MOSFET P-CH 100V 1.7A SOT223

Diodes Incorporated

24,84000 Kč
SMF3.3

SMF3.3

TVS DIODE 3.3VWM 6.8VC SOD123F

Littelfuse Inc.

10,06000 Kč
PMEG10010ELRX

PMEG10010ELRX

DIODE SCHOTTKY 100V 1A SOD123W

Nexperia USA Inc.

8,21000 Kč
BSS123NH6327XTSA1

BSS123NH6327XTSA1

MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3

Infineon Technologies

6,78000 Kč
IPT059N15N3ATMA1

IPT059N15N3ATMA1

MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF

Infineon Technologies

133,66000 Kč
IPT020N10N3ATMA1

IPT020N10N3ATMA1

MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

Infineon Technologies

115,39000 Kč
SKELCAP SCA0300

SKELCAP SCA0300

CAP 300F 2.85V THROUGH HOLE

Skeleton Technologies GmbH

1 264,74000 Kč
DF51K-12DP-2DS(805)

DF51K-12DP-2DS(805)

CONN HDR 2MM DUAL GLD R/A 12POS

Hirose Electric Co Ltd

34,29000 Kč