Name: IPT012N08N5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT012N08N5ATMA1TR-ND
Price: 145.1879 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IPT012N08N5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPT012N08N5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPT012N08N5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPT012N08N5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPT012N08N5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 80V 300A 8HSOF
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 80 V 300A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPT012N08N5ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	80 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	300A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,2mOhm při 150A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,8V při 280µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	223 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	17000 pF @ 40 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	375W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8-1
Pouzdro	8-PowerSFN
Základní číslo produktu	IPT012

Jednotková cena bez DPH:	119,99000 Kč
Jednotková cena s DPH:	145,18790 Kč

IPT012N08N5ATMA1