Name: IPT059N15N3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPT059N15N3ATMA1TR-ND
Price: 179.8907 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPT059N15N3ATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPT059N15N3ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPT059N15N3ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPT059N15N3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPT059N15N3ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 150V 155A 8HSOF
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 150 V 155A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPT059N15N3ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 270µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 92 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 7200 pF @ 75 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 375W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 150 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-HSOF-8-1
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 155A (Tc)	Pouzdro 8-PowerSFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 8V, 10V	Základní číslo produktu IPT059
Rds zap (max) při Id, Vgs 5,9mOhm při 150A, 10V