N-kanál 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch PG-SOT23
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BSS123NH6327XTSA1

Číslo produktu DigiKey
BSS123NH6327XTSA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
BSS123NH6327XTSA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
BSS123NH6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
BSS123NH6327XTSA1
Popis
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
Standardní dodací lhůta výrobce
26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 190mA (Ta) 500mW (Ta) Montáž na povrch PG-SOT23
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
BSS123NH6327XTSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
190mA (Ta)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
6Ohm při 190mA, 10V
Vgs(th) (max) při Id
1,8V při 13µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
0.9 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
20.9 pF @ 25 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
500mW (Ta)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
Automobilový průmysl
Kvalifikace
AEC-Q101
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-SOT23
Pouzdro
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Základní číslo produktu
BSS123
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 40 317
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
16,78000 Kč6,78 Kč
104,16800 Kč41,68 Kč
1002,59930 Kč259,93 Kč
5001,91764 Kč958,82 Kč
1 0001,69713 Kč1 697,13 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
3 0001,41592 Kč4 247,76 Kč
6 0001,27401 Kč7 644,06 Kč
9 0001,20162 Kč10 814,58 Kč
15 0001,12021 Kč16 803,15 Kč
21 0001,07197 Kč22 511,37 Kč
30 0001,02508 Kč30 752,40 Kč
75 0000,92211 Kč69 158,25 Kč
150 0000,88717 Kč133 075,50 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:6,78000 Kč
Jednotková cena s DPH:8,20380 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
2 Položky
AUIR2085STR

AUIR2085STR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC

Infineon Technologies

87,26000 Kč
TLE9180D31QKXUMA1

TLE9180D31QKXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 64LQFP

Infineon Technologies

143,72000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
10 Položky
BSS84PH6327XTSA2

BSS84PH6327XTSA2

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3

Infineon Technologies

5,75000 Kč
TLV9002IDDFR

TLV9002IDDFR

IC OPAMP GP 2 CIRCUIT TSOT23-8

Texas Instruments

11,70000 Kč
TLV3201AIDBVT

TLV3201AIDBVT

IC COMPARATOR 1 GEN PUR SOT23-5

Texas Instruments

33,06000 Kč
BAT46W-7-F

BAT46W-7-F

DIODE SCHOTTKY 100V 150MA SOD123

Diodes Incorporated

4,11000 Kč
DMP10H4D2S-7

DMP10H4D2S-7

MOSFET P-CH 100V 270MA SOT23

Diodes Incorporated

8,01000 Kč
TPS48111LQDGXRQ1

TPS48111LQDGXRQ1

AUTOMOTIVE 3.5-V TO 80-V HIGH SI

Texas Instruments

92,39000 Kč
PESD2CANFD24L-UX

PESD2CANFD24L-UX

TVS DIODE 24VWM SC70

Nexperia USA Inc.

6,78000 Kč
IPT015N10N5ATMA1

IPT015N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 300A 8HSOF

Infineon Technologies

119,29000 Kč
ECS-.327-12.5-34QCS-TR

ECS-.327-12.5-34QCS-TR

CRYSTAL 32.7680KHZ 12.5PF SMD

ECS Inc.

16,63000 Kč
BSS123NH6433XTMA1

BSS123NH6433XTMA1

MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3

Infineon Technologies

6,78000 Kč