Name: FDMS86163P
Brand: onsemi
SKU: FDMS86163PTR-ND
Price: 104.9312 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDMS86163P
Číslo produktu DigiKey	FDMS86163PTR-ND - Páska a cívka (TR) FDMS86163PCT-ND - Řezaná páska (CT) FDMS86163PDKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDMS86163P
Popis	MOSFET P-CH 100V 7.9A/50A 8PQFN
Standardní dodací lhůta výrobce	43 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	P-kanál 100 V 7,9A (Ta), 50A (Tc) 2,5W (Ta), 104W (Tc) Montáž na povrch 8-PQFN (5x6)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDMS86163P Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 59 nC @ 10 V
Řada PowerTrench®	Vgs (max) ±25V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 4085 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 104W (Tc)
Typ tranzistoru FET P-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra 8-PQFN (5x6)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 7,9A (Ta), 50A (Tc)	Pouzdro 8-PowerTDFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu FDMS86163
Rds zap (max) při Id, Vgs 22mOhm při 7,9A, 10V