Name: SIJK5100E-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: 742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND
Price: 176.6479 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SIJK5100E-T1-GE3
Číslo produktu DigiKey	742-SIJK5100E-T1-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) 742-SIJK5100E-T1-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) 742-SIJK5100E-T1-GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SIJK5100E-T1-GE3
Popis	N-CHANNEL 100 V (D-S) MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	55 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 74A (Ta), 417A (Tc) 17W (Ta), 536W (Tc) Montáž na povrch PowerPAK®10 x 12
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SIJK5100E-T1-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 1,4mOhm při 80A, 10V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Řada TrenchFET®	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 200 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 11480 pF @ 50 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 17W (Ta), 536W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 74A (Ta), 417A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PowerPAK®10 x 12
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerBSFN