Name: IPT60R099CM8XTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT60R099CM8XTMA1TR-ND
Price: 98.5666 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPT60R099CM8XTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPT60R099CM8XTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPT60R099CM8XTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPT60R099CM8XTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPT60R099CM8XTMA1
Popis	IPT60R099CM8XTMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 600 V 30A (Tc) 186Š (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-2
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	600 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	30A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	99mOhm při 10,1A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	4,7V při 260µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1330 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	186Š (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8-2
Pouzdro	8-PowerSFN