Name: IPT012N06NATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT012N06NATMA1TR-ND
Price: 132.374 CZK
Availability: InStock

IPT012N06NATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPT012N06NATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPT012N06NATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPT012N06NATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPT012N06NATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 240A 8HSOF
Standardní dodací lhůta výrobce	24 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 240A (Tc) 214W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPT012N06NATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	240A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	1,2mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,3V při 143µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	124 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	9750 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	214W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8-1
Pouzdro	8-PowerSFN
Základní číslo produktu	IPT012

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
2 000	37,41371 Kč	74 827,42 Kč
4 000	37,12447 Kč	148 497,88 Kč

Jednotková cena bez DPH:	109,40000 Kč
Jednotková cena s DPH:	132,37400 Kč

IPT012N06NATMA1