Name: IPT009N06NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT009N06NM5ATMA1TR-ND
Price: 162.503 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPT009N06NM5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPT009N06NM5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPT009N06NM5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPT009N06NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPT009N06NM5ATMA1
Popis	TRENCH 40<-<100V
Standardní dodací lhůta výrobce	16 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 48A (Ta), 427A (Tc) 3,8W (Ta), 300W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPT009N06NM5ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	48A (Ta), 427A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,9mOhm při 150A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	3,3V při 220µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	257 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	16000 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3,8W (Ta), 300W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8
Pouzdro	8-PowerSFN
Základní číslo produktu	IPT009