Name: FDN5632N-F085
Brand: onsemi
SKU: FDN5632N-F085TR-ND
Price: 28.2051 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

FDN5632N-F085
Číslo produktu DigiKey	FDN5632N-F085TR-ND - Páska a cívka (TR) FDN5632N-F085CT-ND - Řezaná páska (CT) FDN5632N-F085DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	FDN5632N-F085
Popis	MOSFET N-CH 60V 1.7A SUPERSOT3
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 1,7A (Ta) 1,1W (Ta) Montáž na povrch SOT-23-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	FDN5632N-F085 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 12 nC @ 10 V
Mfr onsemi	Vgs (max) ±20V
Řada PowerTrench®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 475 pF @ 15 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 1,1W (Ta)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 1,7A (Ta)	Dodávaná velikost pouzdra SOT-23-3
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Rds zap (max) při Id, Vgs 82mOhm při 1,7A, 10V	Základní číslo produktu FDN5632
Vgs(th) (max) při Id 3V při 250µA