Name: IMT65R030M1HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMT65R030M1HXUMA1TR-ND
Price: 276.3519 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMT65R030M1HXUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMT65R030M1HXUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMT65R030M1HXUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMT65R030M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMT65R030M1HXUMA1
Popis	SILICON CARBIDE MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	650 V Montáž na povrch PG-HSOF-8-2
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IMT65R030M1HXUMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	-
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	-
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	-
Vgs(th) (max) při Id	-
Vgs (max)	-
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	-
Provozní teplota	-
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HSOF-8-2
Pouzdro	8-PowerSFN