Name: IPT008N06NM5LFATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPT008N06NM5LFATMA1TR-ND
Price: 237.4625 CZK
Availability: InStock

N-kanál 60 V 454A (Tc) 278W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPT008N06NM5LFATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPT008N06NM5LFATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPT008N06NM5LFATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPT008N06NM5LFATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPT008N06NM5LFATMA1
Popis	TRENCH 40<-<100V PG-HSOF-8
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 454A (Tc) 278W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOF-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPT008N06NM5LFATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,6V při 250µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 185 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 980 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 278W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-HSOF-8
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 454A (Tc)	Pouzdro 8-PowerSFN
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Základní číslo produktu IPT008N
Rds zap (max) při Id, Vgs 0,8mOhm při 150A, 10V