Name: IQE006NE2LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5SCATMA1TR-ND
Price: 81.554 CZK
Availability: InStock

IQE006NE2LM5SCATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQE006NE2LM5SCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQE006NE2LM5SCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQE006NE2LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQE006NE2LM5SCATMA1
Popis	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) Montáž na povrch PG-WHSON-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQE006NE2LM5SCATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™ 5
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	25 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	47A (Ta), 310A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	4,5V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	0,58mOhm při 20A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2V při 250µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	82 nC @ 10 V
Vgs (max)	±16V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5453 pF @ 12 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	2,1W (Ta), 89W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-WHSON-8-1
Pouzdro	8-PowerWDFN

Jednotková cena bez DPH:	67,40000 Kč
Jednotková cena s DPH:	81,55400 Kč

IQE006NE2LM5SCATMA1