Name: IQE013N04LM6SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE013N04LM6SCATMA1TR-ND
Price: 98.9175 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IQE013N04LM6SCATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IQE013N04LM6SCATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IQE013N04LM6SCATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IQE013N04LM6SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IQE013N04LM6SCATMA1
Popis	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 40 V 31A (Ta), 205A (Tc) 2,5W (Ta), 107W (Tc) Montáž na povrch PG-WHSON-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IQE013N04LM6SCATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 1,35mOhm při 20A, 10V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 2V při 51µA
Řada OptiMOS™ 6	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 41 nC @ 10 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3800 pF @ 20 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 2,5W (Ta), 107W (Tc)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 40 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 31A (Ta), 205A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-WHSON-8-1
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro 8-PowerWDFN

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 10 503

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®