Name: IPTG007N06NM5ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IPTG007N06NM5ATMA1TR-ND
Price: 242.3872 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IPTG007N06NM5ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IPTG007N06NM5ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IPTG007N06NM5ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IPTG007N06NM5ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPTG007N06NM5ATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 53A/454A HSOG-8
Standardní dodací lhůta výrobce	25 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 53A (Ta), 454A (Tc) 3,8W (Ta), 375W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOG-8-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPTG007N06NM5ATMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3,3V při 280µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 261 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 21000 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 3,8W (Ta), 375W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Dodávaná velikost pouzdra PG-HSOG-8-1
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 53A (Ta), 454A (Tc)	Pouzdro 8-PowerSMD, Přívod tvaru L
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 6V, 10V	Základní číslo produktu IPTG007N
Rds zap (max) při Id, Vgs 0,75mOhm při 150A, 10V