Name: IAUTN06S5N008GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IAUTN06S5N008GATMA1TR-ND
Price: 213.928 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IAUTN06S5N008GATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IAUTN06S5N008GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IAUTN06S5N008GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IAUTN06S5N008GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IAUTN06S5N008GATMA1
Popis	MOSFET_)40V 60V)
Standardní dodací lhůta výrobce	27 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 59A (Ta), 350A (Tj) 358W (Tc) Montáž na povrch PG-HSOG-8-1
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 3V při 275µA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 273 nC @ 10 V
Řada OptiMOS™ 5	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 20280 pF @ 30 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 358W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 59A (Ta), 350A (Tj)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7V, 10V	Dodávaná velikost pouzdra PG-HSOG-8-1
Rds zap (max) při Id, Vgs 0,78mOhm při 100A, 10V	Pouzdro 8-PowerSMD, Přívod tvaru L