IPB200N15N3GATMA1 je zastaralá a již se nevyrábí.
Dostupné náhrady:

MFR Recommended


Infineon Technologies
Skladem : 28 034
Jednotková cena : 2,98000 Kč
Katalogový list

Similar


Nexperia USA Inc.
Skladem : 28
Jednotková cena : 2,46000 Kč
Katalogový list

Similar


IXYS
Skladem : 806
Jednotková cena : 4,39000 Kč
Katalogový list
PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB200N15N3GATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB200N15N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
IPB200N15N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
IPB200N15N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IPB200N15N3GATMA1
Popis
MOSFET N-CH 150V 50A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 150 V 50A (Tc) 150W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPB200N15N3GATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Zastaralé
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
150 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
8V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
20mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
4V při 90µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1820 pF @ 75 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
150W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Product Questions and Answers

See what engineers are asking, ask your own questions, or help out a member of the DigiKey engineering community

Zastaralý
Tento produkt se již nevyrábí. Zobrazit Náhrady.