BUK7626-100B,118 Nexperia USA Inc. | Jednoduché tranzistory FET, MOSFET

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

BUK7626-100B,118
Číslo produktu DigiKey	1727-4705-2-ND - Páska a cívka (TR) 1727-4705-1-ND - Řezaná páska (CT)
Výrobce	Nexperia USA Inc.
Číslo produktu výrobce	BUK7626-100B,118
Popis	MOSFET N-CH 100V 49A D2PAK
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 49A (Tc) 157W (Tc) Montáž na povrch D2PAK
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 38 nC @ 10 V
Mfr Nexperia USA Inc.	Vgs (max) ±20V
Řada TrenchMOS™	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2891 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT)	Rozptylový výkon (Max) 157W (Tc)
Stav součásti Zastaralé	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 49A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra D2PAK
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Rds zap (max) při Id, Vgs 26mOhm při 25A, 10V	Základní číslo produktu BUK7626
Vgs(th) (max) při Id 4V při 1mA

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Náhrady (13)

Objednací číslo	Výrobce	DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ	Číslo produktu DigiKey	Jednotková cena	Typ náhrady
DI056N10D2-AQ	Diotec Semiconductor	0	4878-DI056N10D2-AQ-ND	17,55905 Kč	Similar
FDB86102LZ	onsemi	282	FDB86102LZCT-ND	60,68000 Kč	Similar
FQB55N10TM	onsemi	879	FQB55N10TMCT-ND	70,76000 Kč	Similar
HUF75639S3ST	onsemi	0	HUF75639S3STCT-ND	77,48000 Kč	Similar
HUF76639S3ST	onsemi	898	HUF76639S3STFSCT-ND	68,24000 Kč	Similar