Name: IPB026N06NATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: IPB026N06NATMA1TR-ND
Price: 87.9065 CZK
Availability: InStock

IPB026N06NATMA1
Číslo produktu DigiKey	IPB026N06NATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) IPB026N06NATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) IPB026N06NATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IPB026N06NATMA1
Popis	MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce	17 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 25A (Ta), 100A (Tc) 3W (Ta), 136W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IPB026N06NATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	OptiMOS™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	60 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	25A (Ta), 100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs	2,6mOhm při 100A, 10V
Vgs(th) (max) při Id	2,8V při 75µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	56 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	4100 pF @ 30 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	3W (Ta), 136W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO263-3
Pouzdro	TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu	IPB026

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1 000	21,61345 Kč	21 613,45 Kč
2 000	20,49930 Kč	40 998,60 Kč

Jednotková cena bez DPH:	72,65000 Kč
Jednotková cena s DPH:	87,90650 Kč

IPB026N06NATMA1