Name: SQM120N06-3M5L_GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SQM120N06-3M5L_GE3TR-ND
Price: 139.5493 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SQM120N06-3M5L_GE3
Číslo produktu DigiKey	SQM120N06-3M5L_GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SQM120N06-3M5L_GE3CT-ND - Řezaná páska (CT) SQM120N06-3M5L_GE3DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SQM120N06-3M5L_GE3
Popis	MOSFET N-CH 60V 120A TO263
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 60 V 120A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch TO-263
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 330 nC @ 10 V
Mfr Vishay Siliconix	Vgs (max) ±20V
Řada TrenchFET®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 14700 pF @ 25 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Rozptylový výkon (Max) 375W (Tc)
Stav součásti Aktivní	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Třída Automobilový průmysl
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Kvalifikace AEC-Q101
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 60 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 120A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-263
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 4,5V, 10V	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Rds zap (max) při Id, Vgs 3,5mOhm při 29A, 10V	Základní číslo produktu SQM120
Vgs(th) (max) při Id 2,5V při 250µA