N-kanál 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
PG-T0263-3

IPB042N10N3GATMA1

Číslo produktu DigiKey
IPB042N10N3GATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR)
IPB042N10N3GATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT)
IPB042N10N3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce
Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce
IPB042N10N3GATMA1
Popis
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Standardní dodací lhůta výrobce
30 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Montáž na povrch PG-TO263-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IPB042N10N3GATMA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Infineon Technologies
Řada
OptiMOS™
Balení
Páska a cívka (TR)
Řezaná páska (CT)
Digi-Reel®
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
N-kanál
Technologie
MOSFET (oxid kovu)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
100 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
100A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
6V, 10V
Rds zap (max) při Id, Vgs
4,2mOhm při 50A, 10V
Vgs(th) (max) při Id
3,5V při 150µA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
8410 pF @ 50 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
214W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO263-3
Pouzdro
TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Základní číslo produktu
IPB042
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 18 818
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Řezaná páska (CT) & Digi-Reel®
Množství Jednotková cena Celk. cena
160,98000 Kč60,98 Kč
1039,37900 Kč393,79 Kč
10027,04200 Kč2 704,20 Kč
50021,76914 Kč10 884,57 Kč
* Ke všem objednávkám cívek Digi-Reel bude přičten navíjecí poplatek 167,00 Kč.
Páska a cívka (TR)
Množství Jednotková cena Celk. cena
1 00017,70226 Kč17 702,26 Kč
2 00016,44573 Kč32 891,46 Kč
3 00016,28408 Kč48 852,24 Kč
Standardní balení výrobce
Jednotková cena bez DPH:60,98000 Kč
Jednotková cena s DPH:73,78580 Kč
Přidružený produktZobrazit vše
7 Položky
1EDN7512BXTSA1

1EDN7512BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-5

Infineon Technologies

13,35000 Kč
IRS10752LTRPBF

IRS10752LTRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

15,60000 Kč
IRS4427STRPBF

IRS4427STRPBF

IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

24,23000 Kč
2EDL23N06PJXUMA1

2EDL23N06PJXUMA1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14DSO

Infineon Technologies

47,84000 Kč
1ED44173N01BXTSA1

1ED44173N01BXTSA1

IC GATE DRVR LOW-SIDE SOT23-6

Infineon Technologies

17,04000 Kč
2ED2110S06MXUMA1

2ED2110S06MXUMA1

IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 16SOIC

Infineon Technologies

59,75000 Kč
IRS21271STRPBF

IRS21271STRPBF

IC GATE DRVR HIGH-SIDE 8SOIC

Infineon Technologies

20,33000 Kč
Může vás též zajímatZobrazit vše
7 Položky
7461383

7461383

TERM REDCUBE M5 16PIN PCB

Würth Elektronik

51,33000 Kč
PESD3V3L5UY,115

PESD3V3L5UY,115

TVS DIODE 3.3VWM 12VC 6TSSOP

Nexperia USA Inc.

8,83000 Kč
IPB026N06NATMA1

IPB026N06NATMA1

MOSFET N-CH 60V 25A/100A D2PAK

Infineon Technologies

71,04000 Kč
BSC040N10NS5ATMA1

BSC040N10NS5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 100A TDSON

Infineon Technologies

61,18000 Kč
SM5S36AHE3_A/I

SM5S36AHE3_A/I

TVS DIODE 36VWM 58.1VC DO218AB

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

44,35000 Kč
IPB020N10N5ATMA1

IPB020N10N5ATMA1

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

Infineon Technologies

133,66000 Kč
FDB047N10

FDB047N10

MOSFET N-CH 100V 120A D2PAK

onsemi

99,78000 Kč