Name: SUM70060E-GE3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SUM70060E-GE3TR-ND
Price: 75.9638 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

SUM70060E-GE3
Číslo produktu DigiKey	SUM70060E-GE3TR-ND - Páska a cívka (TR) SUM70060E-GE3CT-ND - Řezaná páska (CT)
Výrobce	Vishay Siliconix
Číslo produktu výrobce	SUM70060E-GE3
Popis	MOSFET N-CH 100V 131A TO263
Standardní dodací lhůta výrobce	42 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 100 V 131A (Tc) 375W (Tc) Montáž na povrch TO-263 (D2PAK)
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	SUM70060E-GE3 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4V při 250µA
Mfr Vishay Siliconix	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 81 nC @ 10 V
Řada ThunderFET®	Vgs (max) ±20V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT)	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 3330 pF @ 50 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 375W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie MOSFET (oxid kovu)	Způsob montáže Montáž na povrch
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 100 V	Dodávaná velikost pouzdra TO-263 (D2PAK)
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 131A (Tc)	Pouzdro TO-263-3, D2PAK (2 přívody + výstupek), TO-263AB
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 7,5V, 10V	Základní číslo produktu SUM70060
Rds zap (max) při Id, Vgs 5,6mOhm při 30A, 10V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 24 334

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Řezaná páska (CT)

Páska a cívka (TR)