N-kanál 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-17
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
N-kanál 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-17
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R022M2HXKSA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IMZC120R022M2HXKSA1
Popis
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Standardní dodací lhůta výrobce
69 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-17
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IMZC120R022M2HXKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Rds zap (max) při Id, Vgs
22mOhm při 32A, 18V
Mfr
Vgs(th) (max) při Id
5,1V při 10,1mA
Řada
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
71 nC @ 18 V
Balení
Trubice
Vgs (max)
+23V, -7V
Stav součásti
Aktivní
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2330 pF @ 800 V
Typ tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
329W (Tc)
Technologie
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200 V
Způsob montáže
Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO247-4-17
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 18V
Pouzdro
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 841
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1420,03000 Kč420,03 Kč
30258,96267 Kč7 768,88 Kč
120223,69433 Kč26 843,32 Kč
510197,88394 Kč100 920,81 Kč
1 020188,47688 Kč192 246,42 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:420,03000 Kč
Jednotková cena s DPH:508,23630 Kč