448~P/PG-TO247-4-17~~4
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
448~P/PG-TO247-4-17~~4
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R022M2HXKSA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMZC120R022M2HXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IMZC120R022M2HXKSA1
Popis
SICFET N-CH 1200V 80A TO247
Standardní dodací lhůta výrobce
26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1200 V 80A (Tc) 329W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-17
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IMZC120R022M2HXKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
22mOhm při 32A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5,1V při 10,1mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
71 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2330 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
329W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO247-4-17
Pouzdro
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 45
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1324,17000 Kč324,17 Kč
30199,52600 Kč5 985,78 Kč
120176,72875 Kč21 207,45 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:324,17000 Kč
Jednotková cena s DPH:392,24570 Kč