448~P/PG-TO247-4-17~~4
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
448~P/PG-TO247-4-17~~4
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R034M2HXKSA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMZC120R034M2HXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IMZC120R034M2HXKSA1
Popis
SICFET N-CH 1200V 55A TO247
Standardní dodací lhůta výrobce
26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1200 V 55A (Tc) 244W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-17
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IMZC120R034M2HXKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
34mOhm při 20A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5.1V @ 6.4mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
45 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
1510 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
244W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO247-4-17
Pouzdro
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

0 Skladem
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1235,55000 Kč235,55 Kč
30141,04900 Kč4 231,47 Kč
120120,32883 Kč14 439,46 Kč
510116,78004 Kč59 557,82 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:235,55000 Kč
Jednotková cena s DPH:285,01550 Kč