Name: NTH4L022N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L022N120M3S-ND
Price: 493.1597 CZK
Availability: InStock

NTH4L022N120M3S
Číslo produktu DigiKey	5556-NTH4L022N120M3S-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTH4L022N120M3S
Popis	SIC MOS TO247-4L 22MOHM 1200V
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4L
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	NTH4L022N120M3S Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	onsemi
Řada	-
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	68A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	18V
Rds zap (max) při Id, Vgs	30mOhm při 40A, 18V
Vgs(th) (max) při Id	4,4V při 20mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	151 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	3175 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	352W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	TO-247-4L
Pouzdro	TO-247-4

Jednotková cena bez DPH:	407,57000 Kč
Jednotková cena s DPH:	493,15970 Kč

NTH4L022N120M3S