


NTHL022N120M3S | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 5556-NTHL022N120M3S-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | NTHL022N120M3S |
Popis | SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET ELI |
Standardní dodací lhůta výrobce | 20 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 1200 V 68A (Tc) 352W (Tc) Průchozí otvor TO-247-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | - | |
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 1200 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 18V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 30mOhm při 40A, 18V | |
Vgs(th) (max) při Id | 4,4V při 20mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 139 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +22V, -10V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 3130 pF @ 800 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 352W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | TO-247-3 | |
Pouzdro |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 406,05000 Kč | 406,05 Kč |
| 10 | 290,15300 Kč | 2 901,53 Kč |
| 450 | 227,07944 Kč | 102 185,75 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 406,05000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 491,32050 Kč |

