448~P/PG-TO247-4-17~~4
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
448~P/PG-TO247-4-17~~4
CoolSiC™ G2 1200 V Silicon Carbide Discrete MOSFETs from Infineon PIO | DigiKey

IMZC120R012M2HXKSA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMZC120R012M2HXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IMZC120R012M2HXKSA1
Popis
SICFET N-CH 1200V 129A TO247
Standardní dodací lhůta výrobce
26 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 1200 V 129A (Tc) 480W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-17
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IMZC120R012M2HXKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
1200 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
12mOhm při 57A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5,1V při 17,8mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
124 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
4050 pF @ 800 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
480W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO247-4-17
Pouzdro
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 905
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1495,10000 Kč495,10 Kč
30316,41667 Kč9 492,50 Kč
120303,90583 Kč36 468,70 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:495,10000 Kč
Jednotková cena s DPH:599,07100 Kč