Name: NTH4L013N120M3S
Brand: onsemi
SKU: 5556-NTH4L013N120M3S-ND
Price: 885.4538 CZK
Availability: InStock

N-kanál 1200 V 151A (Tc) 682W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

NTH4L013N120M3S
Číslo produktu DigiKey	5556-NTH4L013N120M3S-ND
Výrobce	onsemi
Číslo produktu výrobce	NTH4L013N120M3S
Popis	DISCRETE SIC M3S 1200V 13MOHM
Standardní dodací lhůta výrobce	22 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 151A (Tc) 682W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 4,4V při 37mA
Mfr onsemi	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 254 nC @ 18 V
Balení Trubice	Vgs (max) +22V, -10V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5813 pF @ 800 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 682W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Způsob montáže Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 151A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-247-4
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V	Pouzdro TO-247-4
Rds zap (max) při Id, Vgs 20mOhm při 75A, 18V

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 674

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	731,78000 Kč	731,78 Kč
10	539,35500 Kč	5 393,55 Kč
450	439,70604 Kč	197 867,72 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.