Name: G3R12MT12K
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3R12MT12K-ND
Price: 1808.5991 CZK
Availability: InStock

N-kanál 1200 V 157A (Tc) 567W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

G3R12MT12K
Číslo produktu DigiKey	1913-G3R12MT12K-ND
Výrobce	Navitas Semiconductor, Inc.
Číslo produktu výrobce	G3R12MT12K
Popis	1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Standardní dodací lhůta výrobce	20 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 1200 V 157A (Tc) 567W (Tc) Průchozí otvor TO-247-4
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 2,7V při 50mA
Mfr Navitas Semiconductor, Inc.	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 288 nC @ 15 V
Balení Trubice	Vgs (max) +22V, -10V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 9335 pF @ 800 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 567W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 1200 V	Způsob montáže Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 157A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra TO-247-4
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 18V	Pouzdro TO-247-4
Rds zap (max) při Id, Vgs 13mOhm při 100A, 18V	Základní číslo produktu G3R12M

Nahlásit chybu v informacích o produktu

Dokumenty a média

Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu

Další zdroje

Skladem: 1 538

Kontrola dalších příchozích skladových zásob

Množství

Všechny ceny jsou v CZK

Trubice

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	1 494,71000 Kč	1 494,71 Kč
30	1 063,44967 Kč	31 903,49 Kč

Standardní balení výrobce

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.