N-kanál 650 V 210A (Tc) 625W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-U02
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMZA65R007M2HXKSA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMZA65R007M2HXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IMZA65R007M2HXKSA1
Popis
SILICON CARBIDE MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce
61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 210A (Tc) 625W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-U02
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IMZA65R007M2HXKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Rds zap (max) při Id, Vgs
6,1mOhm při 146,3A, 20V
Mfr
Vgs(th) (max) při Id
5,6V při 29,7mA
Řada
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
179 nC @ 18 V
Balení
Trubice
Vgs (max)
+23V, -7V
Stav součásti
Aktivní
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
6359 pF @ 400 V
Typ tranzistoru FET
Rozptylový výkon (Max)
625W (Tc)
Technologie
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Způsob montáže
Průchozí otvor
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO247-4-U02
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 20V
Pouzdro
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 1 389
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1658,08000 Kč658,08 Kč
30427,66633 Kč12 829,99 Kč
120384,90033 Kč46 188,04 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:658,08000 Kč
Jednotková cena s DPH:796,27680 Kč