Name: AIMDQ75R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AIMDQ75R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 1006.1392 CZK
Availability: OutOfStock

Nový produkt

N-kanál 840 V 220A (Tc) 789W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22-1

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

AIMDQ75R007M2HXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-AIMDQ75R007M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-AIMDQ75R007M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-AIMDQ75R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	AIMDQ75R007M2HXTMA1
Popis	AIMDQ75R007M2HXTMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 840 V 220A (Tc) 789W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22-1
Katalogový list	Katalogový list

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Vgs(th) (max) při Id 5,6V při 27,7mA
Mfr Infineon Technologies	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 164 nC @ 18 V
Řada CoolSiC™	Vgs (max) +23V, -7V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5687 pF @ 500 V
Stav součásti Aktivní	Rozptylový výkon (Max) 789W (Tc)
Typ tranzistoru FET N-kanál	Provozní teplota -55°C ~ 175°C
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Třída Automobilový průmysl
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 840 V	Kvalifikace AEC-Q101
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 220A (Tc)	Způsob montáže Montáž na povrch
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 20V	Dodávaná velikost pouzdra PG-HDSOP-22-1
Rds zap (max) při Id, Vgs 6,3mOhm při 126A, 20V	Pouzdro Modul 22-PowerBSOP