Name: IMDQ75R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ75R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 745.7956 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IMDQ75R007M2HXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMDQ75R007M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMDQ75R007M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMDQ75R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMDQ75R007M2HXTMA1
Popis	IMDQ75R007M2HXTMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 840 V 222A (Tc) 789W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IMDQ75R007M2HXTMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	840 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	222A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	6,1mOhm při 131,5A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	5,6V při 28,9mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	171 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	5922 pF @ 500 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	789W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HDSOP-22
Pouzdro	Modul 22-PowerBSOP

Množství	Jednotková cena	Celk. cena
1	616,36000 Kč	616,36 Kč
10	473,25800 Kč	4 732,58 Kč

Jednotková cena bez DPH:	616,36000 Kč
Jednotková cena s DPH:	745,79560 Kč

IMDQ75R007M2HXTMA1