Name: IMDQ75R007M2HXTMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ75R007M2HXTMA1TR-ND
Price: 955.3192 CZK
Availability: OutOfStock

N-kanál 840 V 222A (Tc) 789W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMDQ75R007M2HXTMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMDQ75R007M2HXTMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMDQ75R007M2HXTMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMDQ75R007M2HXTMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMDQ75R007M2HXTMA1
Popis	IMDQ75R007M2HXTMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 840 V 222A (Tc) 789W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IMDQ75R007M2HXTMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 6,1mOhm při 131,5A, 20V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 5,6V při 28,9mA
Řada CoolSiC™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 171 nC @ 18 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +23V, -7V
Stav součásti Aktivní	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 5922 pF @ 500 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 789W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 840 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 222A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-HDSOP-22
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 20V	Pouzdro Modul 22-PowerBSOP