Name: IMDQ75R060M1HXUMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMDQ75R060M1HXUMA1TR-ND
Price: 256.8709 CZK
Availability: InStock

Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMDQ75R060M1HXUMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IMDQ75R060M1HXUMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IMDQ75R060M1HXUMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IMDQ75R060M1HXUMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IMDQ75R060M1HXUMA1
Popis	IMDQ75R060M1HXUMA1
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 750 V 34A (Tc) 167W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-22-1
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IMDQ75R060M1HXUMA1 Modely

Vlastnosti produktu

Filtrovat podobné produkty

Zobrazit prázdné atributy

Kategorie Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET	Rds zap (max) při Id, Vgs 55mOhm při 11,1A, 20V
Mfr Infineon Technologies	Vgs(th) (max) při Id 5,6V při 4mA
Řada CoolSiC™	Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 23 nC @ 18 V
Balení Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +20V, -2V
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce	Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 779 pF @ 500 V
Typ tranzistoru FET N-kanál	Rozptylový výkon (Max) 167W (Tc)
Technologie SiCFET (karbid křemíku)	Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 750 V	Způsob montáže Montáž na povrch
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C 34A (Tc)	Dodávaná velikost pouzdra PG-HDSOP-22-1
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 20V	Pouzdro Modul 22-PowerBSOP