IMZA120R020M1HXKSA1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMZA65R015M2HXKSA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMZA65R015M2HXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IMZA65R015M2HXKSA1
Popis
SILICON CARBIDE MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce
23 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 103A (Tc) 341W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-8
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs
13,2mOhm při 64,2A, 20V
Vgs(th) (max) při Id
5,6V při 13mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
79 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2792 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
341W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO247-4-8
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 708
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1350,06000 Kč350,06 Kč
30216,96233 Kč6 508,87 Kč
120195,16508 Kč23 419,81 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:350,06000 Kč
Jednotková cena s DPH:423,57260 Kč