Name: IMZA65R050M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMZA65R050M2HXKSA1-ND
Price: 206.1719 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IMZA65R050M2HXKSA1
cms-digikey-product-number	448-IMZA65R050M2HXKSA1-ND
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IMZA65R050M2HXKSA1
cms-description	SILICON CARBIDE MOSFET
cms-standard-lead-time	23 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 650 V 38A (Tc) 153W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-8
cms-datasheet	cms-datasheet

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™ Gen 2
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	38A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	46mOhm při 18,2A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	5,6V při 3,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	22 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	790 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	153W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO247-4-8
Pouzdro	TO-247-4
Základní číslo produktu	IMZA65R050

Jednotková cena bez DPH:	170,39000 Kč
Jednotková cena s DPH:	206,17190 Kč

IMZA65R050M2HXKSA1