N-kanál 650 V 38A (Tc) 153W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-8
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMZA65R050M2HXKSA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMZA65R050M2HXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IMZA65R050M2HXKSA1
Popis
SILICON CARBIDE MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce
61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 38A (Tc) 153W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-8
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs
46mOhm při 18,2A, 20V
Vgs(th) (max) při Id
5,6V při 3,7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
22 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
790 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
153W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO247-4-8
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 184
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1167,95000 Kč167,95 Kč
3097,98300 Kč2 939,49 Kč
12082,60333 Kč9 912,40 Kč
51075,51245 Kč38 511,35 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:167,95000 Kč
Jednotková cena s DPH:203,21950 Kč