
IMW65R048M1HXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IMW65R048M1HXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IMW65R048M1HXKSA1 |
Popis | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Standardní dodací lhůta výrobce | 23 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 39A (Tc) 125W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-41 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IMW65R048M1HXKSA1 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 18V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 64mOhm při 20,1A, 18V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5,7V při 6mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 33 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -5V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1118 pF @ 400 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 125W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | PG-TO247-3-41 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 188,19000 Kč | 188,19 Kč |
| 30 | 110,49833 Kč | 3 314,95 Kč |
| 120 | 93,46725 Kč | 11 216,07 Kč |
| 510 | 86,93898 Kč | 44 338,88 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 188,19000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 227,70990 Kč |






