
IMZA65R048M1HXKSA1 | |
---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IMZA65R048M1HXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IMZA65R048M1HXKSA1 |
Popis | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Standardní dodací lhůta výrobce | 23 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 39A (Tc) 125W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IMZA65R048M1HXKSA1 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 18V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 64mOhm při 20,1A, 18V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5,7V při 6mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 33 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -5V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 1118 pF @ 400 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 125W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | PG-TO247-4-3 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
---|---|---|
1 | 189,97000 Kč | 189,97 Kč |
30 | 106,46200 Kč | 3 193,86 Kč |
120 | 94,69142 Kč | 11 362,97 Kč |
510 | 88,43641 Kč | 45 102,57 Kč |
Jednotková cena bez DPH: | 189,97000 Kč |
---|---|
Jednotková cena s DPH: | 229,86370 Kč |