IMZA65R027M1HXKSA1
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMZA65R027M1HXKSA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMZA65R027M1HXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IMZA65R027M1HXKSA1
Popis
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
Standardní dodací lhůta výrobce
19 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 59A (Tc) 189W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-3
Katalogový list
 Katalogový list
Modely EDA/CAD
IMZA65R027M1HXKSA1 Modely
Vlastnosti produktu
Typ
Popis
Vybrat vše
Kategorie
Mfr
Řada
Balení
Trubice
Stav součásti
Aktivní
Typ tranzistoru FET
Technologie
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
18V
Rds zap (max) při Id, Vgs
34mOhm při 38,3A, 18V
Vgs(th) (max) při Id
5,7V při 11mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
63 nC @ 18 V
Vgs (max)
+23V, -5V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2131 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET
-
Rozptylový výkon (Max)
189W (Tc)
Provozní teplota
-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída
-
Kvalifikace
-
Způsob montáže
Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO247-4-3
Pouzdro
Základní číslo produktu
Dotazy a odpovědi k produktům

Seznamte se s dotazy, které pokládají konstruktéři, pokládejte vlastní dotazy nebo pomozte členovi inženýrské komunity DigiKey.

Skladem: 240
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1273,02000 Kč273,02 Kč
30165,60733 Kč4 968,22 Kč
120142,07175 Kč17 048,61 Kč
510141,56910 Kč72 200,24 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:273,02000 Kč
Jednotková cena s DPH:330,35420 Kč