
IMZA65R027M1HXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IMZA65R027M1HXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IMZA65R027M1HXKSA1 |
Popis | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Standardní dodací lhůta výrobce | 23 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 59A (Tc) 189W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-4-3 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IMZA65R027M1HXKSA1 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Aktivní | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 18V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 34mOhm při 38,3A, 18V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5,7V při 11mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 63 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -5V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 2131 pF @ 400 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 189W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | PG-TO247-4-3 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 270,17000 Kč | 270,17 Kč |
| 30 | 163,87667 Kč | 4 916,30 Kč |
| 120 | 140,58692 Kč | 16 870,43 Kč |
| 510 | 140,08951 Kč | 71 445,65 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 270,17000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 326,90570 Kč |





