
IMW65R040M2HXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IMW65R040M2HXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IMW65R040M2HXKSA1 |
Popis | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardní dodací lhůta výrobce | 61 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 46A (Tc) 172W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-40 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 5,6V při 4,6mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 28 nC @ 18 V |
Řada | Vgs (max) +23V, -7V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 997 pF @ 400 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 172W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO247-3-40 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 20V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 36mOhm při 22,9A, 20V |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 232,87000 Kč | 232,87 Kč |
| 30 | 136,43100 Kč | 4 092,93 Kč |
| 120 | 115,23525 Kč | 13 828,23 Kč |
| 510 | 99,71004 Kč | 50 852,12 Kč |
| 1 020 | 94,04819 Kč | 95 929,15 Kč |
| 2 010 | 89,38514 Kč | 179 664,13 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 232,87000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 281,77270 Kč |





