
IMW65R107M1HXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IMW65R107M1HXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IMW65R107M1HXKSA1 |
Popis | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 20A (Tc) 75W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-41 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IMW65R107M1HXKSA1 Modely |
Typ | Popis | Vybrat vše |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Mfr | ||
Řada | ||
Balení | Trubice | |
Stav součásti | Není určeno pro nové konstrukce | |
Typ tranzistoru FET | ||
Technologie | ||
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) | 650 V | |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | ||
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) | 18V | |
Rds zap (max) při Id, Vgs | 142mOhm při 8,9A, 18V | |
Vgs(th) (max) při Id | 5,7V při 3mA | |
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs | 15 nC @ 18 V | |
Vgs (max) | +23V, -5V | |
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds | 496 pF @ 400 V | |
Funkce tranzistoru FET | - | |
Rozptylový výkon (Max) | 75W (Tc) | |
Provozní teplota | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Třída | - | |
Kvalifikace | - | |
Způsob montáže | Průchozí otvor | |
Dodávaná velikost pouzdra | PG-TO247-3-41 | |
Pouzdro | ||
Základní číslo produktu |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 128,53000 Kč | 128,53 Kč |
| 30 | 73,31800 Kč | 2 199,54 Kč |
| 120 | 61,17358 Kč | 7 340,83 Kč |
| 510 | 52,89720 Kč | 26 977,57 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 128,53000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 155,52130 Kč |












