
IMW65R107M1HXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IMW65R107M1HXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IMW65R107M1HXKSA1 |
Popis | MOSFET 650V NCH SIC TRENCH |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 20A (Tc) 75W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-41 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IMW65R107M1HXKSA1 Modely |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 5,7V při 3mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 15 nC @ 18 V |
Řada | Vgs (max) +23V, -5V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 496 pF @ 400 V |
Stav součásti Není určeno pro nové konstrukce | Rozptylový výkon (Max) 75W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 150°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO247-3-41 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 18V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 142mOhm při 8,9A, 18V |
| Objednací číslo | Výrobce | DOSTUPNÉ MNOŽSTVÍ | Číslo produktu DigiKey | Jednotková cena | Typ náhrady |
|---|---|---|---|---|---|
| MSC060SMA070B | Microchip Technology | 318 | MSC060SMA070B-ND | 117,17000 Kč | Similar |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 149,09000 Kč | 149,09 Kč |
| 30 | 85,22400 Kč | 2 556,72 Kč |
| 120 | 71,18500 Kč | 8 542,20 Kč |
| 510 | 60,89584 Kč | 31 056,88 Kč |
| 1 020 | 57,14256 Kč | 58 285,41 Kč |
| 2 010 | 56,13340 Kč | 112 828,13 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 149,09000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 180,39890 Kč |











