
IMW65R015M2HXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IMW65R015M2HXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IMW65R015M2HXKSA1 |
Popis | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardní dodací lhůta výrobce | 61 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 93A (Tc) 341W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-40 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 5,6V při 13mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 79 nC @ 18 V |
Řada | Vgs (max) +23V, -7V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2792 pF @ 400 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 341W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO247-3-40 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 20V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 13,2mOhm při 64,2A, 20V |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 441,17000 Kč | 441,17 Kč |
| 30 | 273,03700 Kč | 8 191,11 Kč |
| 120 | 236,21525 Kč | 28 345,83 Kč |
| 510 | 209,27059 Kč | 106 728,00 Kč |
| 1 020 | 199,44991 Kč | 203 438,91 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 441,17000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 533,81570 Kč |



