Nastavení
Rychlé dodání
Dodávka zdarma
Incoterms
Typy plateb
Produkt služby Marketplace
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.
IMW65R007M2HXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IMW65R007M2HXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IMW65R007M2HXKSA1 |
Popis | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardní dodací lhůta výrobce | 61 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 171A (Tc) 625W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-U06 |
Katalogový list | Katalogový list |
Modely EDA/CAD | IMW65R007M2HXKSA1 Modely |
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie | Rds zap (max) při Id, Vgs 6,1mOhm při 146,3A, 20V |
Mfr | Vgs(th) (max) při Id 5,6V při 29,7mA |
Řada | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 179 nC @ 18 V |
Balení Trubice | Vgs (max) +23V, -7V |
Stav součásti Aktivní | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 6359 pF @ 400 V |
Typ tranzistoru FET | Rozptylový výkon (Max) 625W (Tc) |
Technologie | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Způsob montáže Průchozí otvor |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO247-3-U06 |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 20V | Pouzdro |
Nahlásit chybu v informacích o produktu
Dokumenty a média
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 3
Kontrola dalších příchozích skladových zásob
Množství
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 642,75000 Kč | 642,75 Kč |
| 30 | 416,88033 Kč | 12 506,41 Kč |
| 120 | 373,68742 Kč | 44 842,49 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 642,75000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 777,72750 Kč |
Může vás též zajímatZobrazit vše
9 Položky
