Name: IMW65R026M2HXKSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IMW65R026M2HXKSA1-ND
Price: 299.9348 CZK
Availability: InStock

Nový produkt

cms-photo-disclaimer

IMW65R026M2HXKSA1
cms-digikey-product-number	448-IMW65R026M2HXKSA1-ND
cms-manufacturer	Infineon Technologies
cms-manufacturer-product-number	IMW65R026M2HXKSA1
cms-description	IMW65R026M2HXKSA1
cms-standard-lead-time	23 týdnů
cms-customer-reference
cms-detailed-description	N-kanál 650 V 64A (Tc) 227W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-40
cms-datasheet	cms-datasheet
cms-eda-cad-models	IMW65R026M2HXKSA1 Modely

cms-product-attributes

cms-type	cms-description	cms-select-all
cms-category	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolSiC™
Balení	Trubice
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	SiCFET (karbid křemíku)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	64A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	15V, 20V
Rds zap (max) při Id, Vgs	24mOhm při 34,5A, 20V
Vgs(th) (max) při Id	5,6V při 7mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	42 nC @ 18 V
Vgs (max)	+23V, -7V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	1499 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	227W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 175°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Průchozí otvor
Dodávaná velikost pouzdra	PG-TO247-3-40
Pouzdro	TO-247-3

cms-product-q-and-a

cms-techforum-default-desc

Skladem: 210

cms-incoming-leadtime-link

cms-quantity

cms-all-prices-in-currency

Trubice

cms-quantity	cms-unit-price	cms-ext-price
1	247,88000 Kč	247,88 Kč
30	172,16700 Kč	5 165,01 Kč
120	157,58592 Kč	18 910,31 Kč
510	143,22545 Kč	73 044,98 Kč

cms-manufacturer-standard-package

Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.