N-kanál 650 V 83A (Tc) 273W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-40
Uvedený obrázek slouží pouze jako znázornění. Přesné technické údaje je nutné vyhledat v katalogovém listu produktu.

IMW65R020M2HXKSA1

Číslo produktu DigiKey
448-IMW65R020M2HXKSA1-ND
Výrobce
Číslo produktu výrobce
IMW65R020M2HXKSA1
Popis
SILICON CARBIDE MOSFET
Standardní dodací lhůta výrobce
61 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis
N-kanál 650 V 83A (Tc) 273W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-40
Katalogový list
 Katalogový list
Vlastnosti produktu
Filtrovat podobné produkty
Zobrazit prázdné atributy
Kategorie
Vgs(th) (max) při Id
5,6V při 9,5mA
Mfr
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs
57 nC @ 18 V
Řada
Vgs (max)
+23V, -7V
Balení
Trubice
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds
2038 pF @ 400 V
Stav součásti
Aktivní
Rozptylový výkon (Max)
273W (Tc)
Typ tranzistoru FET
Provozní teplota
-55°C ~ 175°C (TJ)
Technologie
Způsob montáže
Průchozí otvor
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)
650 V
Dodávaná velikost pouzdra
PG-TO247-3-40
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C
Pouzdro
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)
15V, 20V
Základní číslo produktu
Rds zap (max) při Id, Vgs
18mOhm při 46,9A, 20V
Klasifikace ochrany životního prostředí a exportu
Dotazy a odpovědi k produktům
Další zdroje
Skladem: 0
Zkontrolovat dodací lhůtu
Požádat o sdělení stavu zásob
Všechny ceny jsou v CZK
Trubice
Množství Jednotková cena Celk. cena
1372,29000 Kč372,29 Kč
30226,91133 Kč6 807,34 Kč
120195,08892 Kč23 410,67 Kč
510171,79124 Kč87 613,53 Kč
1 020163,29980 Kč166 565,80 Kč
Standardní balení výrobce
Poznámka: V případě zakoupení produktu v množstvích nižších, než odpovídá standardnímu balení, se vzhledem ke službám společnosti Digi-Key s přidanou hodnotou může typ balení změnit.
Jednotková cena bez DPH:372,29000 Kč
Jednotková cena s DPH:450,47090 Kč