
IMW65R020M2HXKSA1 | |
|---|---|
Číslo produktu DigiKey | 448-IMW65R020M2HXKSA1-ND |
Výrobce | |
Číslo produktu výrobce | IMW65R020M2HXKSA1 |
Popis | SILICON CARBIDE MOSFET |
Standardní dodací lhůta výrobce | 61 týdnů |
Referenční číslo zákazníka | |
Podrobný popis | N-kanál 650 V 83A (Tc) 273W (Tc) Průchozí otvor PG-TO247-3-40 |
Katalogový list | Katalogový list |
Kategorie | Vgs(th) (max) při Id 5,6V při 9,5mA |
Mfr | Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs 57 nC @ 18 V |
Řada | Vgs (max) +23V, -7V |
Balení Trubice | Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds 2038 pF @ 400 V |
Stav součásti Aktivní | Rozptylový výkon (Max) 273W (Tc) |
Typ tranzistoru FET | Provozní teplota -55°C ~ 175°C (TJ) |
Technologie | Způsob montáže Průchozí otvor |
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss) 650 V | Dodávaná velikost pouzdra PG-TO247-3-40 |
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C | Pouzdro |
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap) 15V, 20V | Základní číslo produktu |
Rds zap (max) při Id, Vgs 18mOhm při 46,9A, 20V |
| Množství | Jednotková cena | Celk. cena |
|---|---|---|
| 1 | 372,29000 Kč | 372,29 Kč |
| 30 | 226,91133 Kč | 6 807,34 Kč |
| 120 | 195,08892 Kč | 23 410,67 Kč |
| 510 | 171,79124 Kč | 87 613,53 Kč |
| 1 020 | 163,29980 Kč | 166 565,80 Kč |
| Jednotková cena bez DPH: | 372,29000 Kč |
|---|---|
| Jednotková cena s DPH: | 450,47090 Kč |


