Name: IGLT65R110D2ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IGLT65R110D2ATMA1TR-ND
Price: 112.3243 CZK
Availability: InStock

Potřebujete pomoc?

Zpětná vazba

O společnosti DigiKey Marketplace Prodávat na DigiKey.com Kariéra Mapa stránek Digitální řešení Tiskové centrum

Nápověda a podpora Stav objednávky Ceny a∘možnosti dopravy Vrácení zboží a∘potíže s∘objednávkou

(+420) 225 296 620 eu.support@digikey.com

IGLT65R110D2ATMA1
Číslo produktu DigiKey	448-IGLT65R110D2ATMA1TR-ND - Páska a cívka (TR) 448-IGLT65R110D2ATMA1CT-ND - Řezaná páska (CT) 448-IGLT65R110D2ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Výrobce	Infineon Technologies
Číslo produktu výrobce	IGLT65R110D2ATMA1
Popis	IGLT65R110D2ATMA1
Standardní dodací lhůta výrobce	18 týdnů
Referenční číslo zákazníka
Podrobný popis	N-kanál 650 V 15A (Tc) 55W (Tc) Montáž na povrch PG-HDSOP-16-8
Katalogový list	Katalogový list
Modely EDA/CAD	IGLT65R110D2ATMA1 Modely

Typ	Popis	Vybrat vše
Kategorie	Diskrétní polovodičové produkty Tranzistory Tranzistory FET a MOSFET Jednoduché tranzistory FET, MOSFET
Mfr	Infineon Technologies
Řada	CoolGaN™
Balení	Páska a cívka (TR) Řezaná páska (CT) Digi-Reel®
Stav součásti	Aktivní
Typ tranzistoru FET	N-kanál
Technologie	GaNFET (Galium nitrid)
Napětí mezi odtokem a zdrojem (Vdss)	650 V
Trvalý odtokový proud (Id) při 25°C	15A (Tc)
Budicí napětí (max Rds zap, Min Rds zap)	-
Rds zap (max) při Id, Vgs	-
Vgs(th) (max) při Id	1,6V při 1,3mA
Náboj hradla (Qg) (max) při Vgs	2.4 nC @ 3 V
Vgs (max)	-10V
Vstupní kapacita (Ciss) (max) při Vds	170 pF @ 400 V
Funkce tranzistoru FET	-
Rozptylový výkon (Max)	55W (Tc)
Provozní teplota	-55°C ~ 150°C (TJ)
Třída	-
Kvalifikace	-
Způsob montáže	Montáž na povrch
Dodávaná velikost pouzdra	PG-HDSOP-16-8
Pouzdro	16-PowerSOP modul

Jednotková cena bez DPH:	92,83000 Kč
Jednotková cena s DPH:	112,32430 Kč

IGLT65R110D2ATMA1